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微星MSI MEG Ai1600T PCIE5评测

fcpowerup
6月 14, 2025电源评测
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评价总结Conclusion 规格外观Spec&exterior 拆解Teardown 跑分Tests 软件Software

拆解及分析 Teardown & Component analysis

元器件规格汇总

微星MEG Ai1600T PCIE5的拆解部分,按照以往的习惯,我们会在开头给出元器件汇总表格,再分析组装和电路。

微星MEG Ai1600T PCIE5由侨威Channel Well Technology代工,与此前我们评测过的MEG Ai1300P PCIE5的CTT方案非常相似,都为两颗TI UCD3138A控制的主动PFC+全桥LLC谐振+12V同步整流+5V/3.3V DC-DC的结构,并且搭配了一颗新塘Nuvoton M032LD2AE微控制器,实现软件监控功能,这一方案被称为CTF。CTF不同于CTT之处是在高压侧引入了更高效的、成本更高的无桥交错式PFC设计。

微星MEG Ai1600T PCIE5采用的散热风扇来自ZIC , 型号ZFB132512H,规格135mm,12V/0.45A, 4Pin插头,DBB双滚珠轴承。风扇一侧加有导流板。

电源上盖一侧同时粘合了LED灯板,采用4Pin插头与电源本体相连。

从电源外壳取出电源PCB本体,可以看到整流部分和同步整流部分电路贴有导热垫,这两部分电路通过导热垫将热量往外壳方向传导,借助外壳可以将一部分热量散去。仔细观察导热垫发现它的质量不错,应该属于导热系数较高的型号。

我们将导热垫铲回电源底壳。底壳部分除了AC入线和一部分EMI元件以外,还有两组导线,分别是AC开关的控制连线和风扇温控开关的连线,线材都做了两层绝缘处理并且打了硅橡胶固定。电源的AC开关并不会直接控制火线和零线的通断,而是控制5VSB待机电路的开关。这样一来确实在5VSB待机电路没有工作的时候,电源无论如何是无法开机的,AC插座和AC开关也不会在开关触发时因为浪涌电流导致出现打火现象,但我个人建议在雷雨天气还是尽量将电源的AC电源线拔掉,避免连入市电。

AC插座后方。配置了2个Y电容、1个X电容。

X电容的后方焊接了一套X电容泄放电路,X电容泄放IC采用的是SYNC Power公司的SP687 ,X电容泄放IC的用处是在关机之后控制X电容泄放电路将X电容上的余电进行泄放避免电人,开机时也能减少导通损耗。L和N线采用插簧连接到主板,组装人员和评测人员拆装都会比较方便。电源的外壳也进行了接地处理。

电源PCB从外壳取出,大功率电源的元器件排列整齐,但丝毫不显杂乱,既有力量感,又透着一种规整的秩序美

主板部分的EMI,从最右侧的AC插簧进线部分开始,往左分别是1个保险管,1个共模电感,1个MOV压敏电阻用于抑制外部高压,减少雷击和高压等意外情况所能造成的损失(被共模电感遮挡),1对Y电容,1个X电容,最后是1个用热缩套包裹起来的共模电感。这些元件都点了硅橡胶进行加固减少工作震动。图片中间还配置了一个索大的NTC热敏电阻和一个继电器,用于抑制电源通电时的浪涌电流,继电器用于在开机完成之后旁路NTC热敏电阻,提高电路的可靠性和转换效率。

整流桥为1x 瑞能WeEn Semiconductors, WNB2560M ( 600V, 25A ≤ 127°C )。

不过主要的整流电路还是靠后面的这4枚英飞凌 Infineon, IMW65R050M2H (650V / 27A @100℃ / 62mΩ )组成的主动整流电路,IMW65R050M2H属于英飞凌的CoolSiC碳化硅系列产品,从英飞凌的资料看,相比常见的英飞凌CoolMOS系列,CoolSiC碳化硅系列在耐用性、耐候性,尤其是高温性能和功率密度方面更有优势。

PFC MOS配置了2x Infineon, IMW65R050M2H ( 650V / 27A @100℃ / 62mΩ ) ,同样是CoolSiC碳化硅系列产品。

而PFC二极管则是2x 威世Vishay , VS-3C10ET07T-M3 ( 650V, 10A @ 147°C)。

主电容为 2x 日本化工Nippon Chemi-con, KHE, 770μF/420V/105℃,两颗总计容量1540μF Total。

LLC级,下图中间靠下位置是4枚LLC MOS,右下是谐振电容和谐振电感,为了应对更大的功率,用了两个PQ主变压器。

可以看到变压器的工艺比较特别,初级绕组是利兹线,次级绕组是多组铜带并联的方式。

LLC MOS的散热片打有微星MEG的标志。

LLC MOS的配置为4x万国半导体 Alpha & Omega , AOTF29S50L ( 500V / 18A @100℃ / 0.34Ω ),塑料绝缘封装。

12VSR的MOS采用表贴工艺,一共配置了3×4=12枚,上方再装上开叉的散热片加强散热。不过由于散热片两端都焊死在PCB上面,MOS管我们无法得知它的具体型号,猜测可能是英飞凌的BSC014N06NS Rdson 1.45mΩ或者ISC011N06LM5,1.15mΩ。

12V SR同步整流电路出来配置了5颗日化W系列4700μF/16V电解电容搭配5颗FPCAP 5K 820μF/16V固态电容进行滤波,这里看起来并没有采用π型电路,可能是RD另有其他考虑的因素。

日化W系列4700μF/16V电解电容是常见的定制型号,FPCAP FP5K 8mm 820μF/16V的固态电容看起来也应该属于定制型号。

5V和3.3V方面,微星MEG Ai1600T PCIE5配备了4x ubiq-semi , QN3107M6N ( 30V / 70A @100℃ / 2.6mΩ )。D2D子卡背面空间不够观察主控型号,无法确定是茂达的方案还是杰驰的方案。

模组接线板,也叫背板,FPCAP的固态电容和日化PSG、PSC固态电容拉满。

右侧的芯片是新塘Nuvoton M032LD2AE,这是一颗 Arm® Cortex®-M0 内核的微控制器,配备 64 KB 闪存和 8 KB SRAM,不需要再外挂一颗闪存芯片来存储程序。下方则是数码宝贝最喜欢的泰浦西接口。上一代的MSI MEG Ai1600T PCIE5使用的是mini USB接口与电脑相连,可能是厂家接受了我们的建议,这次使用的USB-C接口更具备适用性。

回过头我们再来看看电源上的其他区域的电路和芯片。

电源的主控子卡,使用了两个2x德州仪器 TI UCD3138A,位于高压侧外侧。

内侧的子卡是5VSB待机子卡,主控是昂宝On-Bright, OB2365T。整流管是1x通嘉科技 Leadtrend , LD8926AA1。

另外一侧是没有布置额外小卡的。

电源背面。

左侧的TI TPS54231应该为-12V生成IC,右侧的极创infsitronix, IN1S315I-SAG为管控IC,负责5V和3.3V的OVP和UVP。

两个纳芯微Novosense , NSi6602为LLC MOS的驱动IC。

下图的SU2位置为TI  UCC27324-Q1,应该为12VSR同步整流驱动IC。

两个纳芯微Novosense  NSD1026V-DSPR,为PFC MOS的驱动IC。

 

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